01-硅片是什麽？硅片的表面为何这么平滑？
硅片，也叫晶片，是制作晶片及各类半导体装置的主要原料。晶片一般都是经过完美处理的，像是镜子，又像是宝石，那么，为什么要把它打磨成这样？晶片经过研磨，切割成一块块的晶片，在制作的时候，会不断地将晶片打磨，以保证产品的平整性，特别是在光刻的时候，晶片的表面必须要平整。
随着芯片工艺的不断发展，为了达到纳米级别的成像分辨率，必须加大透镜的数字孔径，但是这也会使光学系统的焦深降低。为了使光刻影像更清楚，晶片表面的高低起伏一定要保持在焦点附近。这样，晶片的平面和厚度都不均匀，就会造成光刻在高程和高程上的困难。
02-CMP技术是什么？
在芯片工厂中，最常用的抛光工艺称为CMP。CMP制程时，将晶片置于仪器上，将其面朝下压在研磨板上进行研磨，同时将研磨液注入研磨液，将晶片的表面腐蚀、氧化，然后物理除去，最后将晶片打磨到最平滑的程度。CMP工艺的关键在于抛光溶液和抛光垫。
（1）抛光液
研磨液的配方是厂家的秘密，通常是用液体刻蚀溶剂，分散剂，pH调节剂，以及固体研磨材料。在磨削时，用腐蚀性的溶液来软化晶片的表面，所以要精确地控制各种湿法化学品的纯度、比例和浓度的改变，以确保腐蚀速率的稳定性和高的选比。研磨溶液中的固体研磨剂用于辅助研磨，以定量地除去被侵蚀的表面。分散剂用于阻止研磨溶液中细小粒子的沉淀和积聚。
研磨溶液要当场配制，并马上使用。通过测定体积或液面，保证不同配料的比例，可实现现场加工。先进的芯片加工工艺，采用无接触测量方法进行配比，并使用高精度的自动称量模块，使得每一次的精确调配达到0.5克。
*高精度称量
*pH传感器，耐微粒，耐腐蚀
在经过浓度、pH等测试后，继续在磨削过程中不断的注射，使研磨液始终处于流动状态，有效地将研磨过程中的热能和碎片带走。所以，研磨液属于消耗品，加工得越精细，废液的回收就越困难。
(2）抛光垫
磨砂垫也是一种消耗品，必须经常进行替换。抛光垫通常是用具有多孔结构的聚合物材料制作而成，这种多孔结构不仅能产生磨削表面的粗糙度，而且在磨削时也能更好地容纳和吸收抛光液。但是，随着使用时间的推移，抛光垫的表面粗糙程度会逐渐降低，磨削效果也会随之降低，而且会在每个磨削过程中产生残余物质，从而对晶片产生刮痕。因此，抛光垫要经常更换和保养。同时，为了获得最佳的磨削效果和均匀性，还需一段时间的磨合。
03-CMP在晶片生产中的应用？
在晶片出现之前，CMP就被用来对像望远镜镜片这样的精密仪器进行抛光。相对于单一材料的晶片而言，晶片的制造工艺更为精细、精细，并且在制造过程中对洁净度有极高的要求，所以虽然CMP抛光的效果不错，但因为使用了微粒微粒作为研磨材料，所以晶圆厂一直不敢使用。
直到80年代，由于日本企业的竞争，IBM不得不将晶片的各个层面都打磨平整，以生产出多层的金属薄片，于是开始尝试采用CMP技术。在经过大量的试验后，IBM渐渐掌握了磨砂技术，通过抛光和湿法清洗，CMP成为了一种重要的晶圆加工技术，并迅速应用于半导体行业。
对于0.35μm以下的芯片，CMP已成为各大芯片厂商必须使用的平板工艺。随着半导体工艺的不断发展，芯片的结构越来越复杂，CMP技术的应用也越来越受到重视。小于90nm时，CMP工序一般不会超过10个，抛光溶液的类型也不会多于5~6个；在14nm以下的工艺过程中，CMP工序多达30次，抛光溶液的类型也有20多种。
CMP技术也有很多缺陷。比如，在光刻中，由于机械研磨工艺容易产生过多的磨削，很难保证高的选配比例，而依靠设备的末端检测，而转动抛光又会导致圆片表面的旋转式套筒产生偏移，从而影响到以后的光刻工艺。随着芯片的平面化需求的不断提升，抛光工艺中的杂质含量和精确度将成为CMP研磨工艺的一个重要课题。
最平滑的人工制品是新一代EUV光刻机透镜，其表面粗糙度只有0.02毫微米，采用了流水式无影接触抛光技术和电浆冲击研磨技术。与CMP工艺相比，其精确度、成本以及抛光效率都需要进一步提高，因此，我们将继续致力于更有效、更细致的研磨与测试技术的发展。
梅特勒托利多辅助CMP制程
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2.对生产中的主要工序进行配料控制、料位监控、原料计量等进行数据的管理；
3.在线监测超纯水的pH值，电导率，溶解氧，TOC等重要指标；
4.湿式电子化学品的自动充填和光阻剂的设计。